垂直石墨烯/MoS$_{2}$异质结的大电流调制与自旋依赖隧穿
介观与纳米尺度物理
2013-09-30 v2
摘要
垂直石墨烯异质结通过利用量子隧穿效应，被提出作为电子器件的一种替代架构。在此，我们展示了通过使用扶手椅型石墨烯纳米带作为电极，增强了垂直石墨烯场效应晶体管的电流开关比。此外，我们报道了石墨烯/MoS2 异质结中的自旋依赖隧穿电流。当原子级薄的 MoS2 层夹在石墨烯电极之间并呈现磁性时，具有不同自旋的狄拉克费米子会感受到不同高度的隧穿势垒，从而导致自旋依赖隧穿。我们的发现将通过提高器件性能以及增加基于石墨烯的自旋电子学可能性，推动现有石墨烯异质结在电子器件中的应用。
引用
@article{arxiv.1302.0945,
title = {Large Current Modulation and Spin-Dependent Tunneling of Vertical Graphene/MoS$_{2}$ Heterostructures},
author = {Nojoon Myoung and Kyungchul Seo and Seung Joo Lee and Gukhyung Ihm},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.0945},
year = {2013}
}
备注
19 pages, 5 figures