剥离石墨烯/MoS2/金属垂直异质结中的大电流调制
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
基于石墨烯的垂直场效应晶体管在实现高速开关器件方面引起了广泛关注；然而，此类器件的功能受限于其较小的开 - 关电流比或开态电流密度。我们通过机械剥离和干法转移石墨烯及 MoS2 层，制备了石墨烯/MoS2/金属垂直异质结。石墨烯与 MoS2 之间的范德华界面表现出肖特基势垒，从而实现了明确的电流整流。由于石墨烯的状态密度较小，肖特基势垒的高度可通过外部栅极电场进行强力调制。我们获得了超过 10^5 的大电流调制，同时保持了约 10^4 A/cm^2 的大电流密度，从而证明了剥离石墨烯/MoS2/金属垂直场效应晶体管的优越性能。
引用
@article{arxiv.1408.6942,
title = {Large current modulation in exfoliated-graphene/MoS2/metal vertical heterostructures},
author = {Rai Moriya and Takehiro Yamaguchi and Yoshihisa Inoue and Sei Morikawa and Yohta Sata and Satoru Masubuchi and Tomoki Machida},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.6942},
year = {2015}
}