铁电畴图案调控单层 MoS$_2$ 肖特基结状态
介观与纳米尺度物理
2017-06-12 v2
摘要
我们利用扫描探针控制的铁电顶层畴图案化，在单层 MoS 的晶体管状态和结状态之间诱导非易失性调制其导电特性。在存在畴壁的情况下，MoS 表现出可由热电子发射模型很好描述的整流 I-V 特性。诱导的肖特基势垒高度在 0.38 eV 到 0.57 eV 之间变化，并可通过 SiO 全局背栅进行调控，而调控范围敏感地依赖于导带尾陷阱态。我们的工作为在范德华材料中实现可编程功能指明了一条新途径，并揭示了这些混合系统中限制性能的关键因素。
引用
@article{arxiv.1606.01322,
title = {Ferroelectric Domain Patterning Controlled Schottky Junction State in Monolayer MoS$_2$},
author = {Zhiyong Xiao and Jingfeng Song and David K. Ferry and Stephen Ducharme and Xia Hong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.01322},
year = {2017}
}
备注
18 pages, 4 figures