面内石墨烯/MoS2异质结的性质
材料科学
2017-04-11 v1
摘要
根据肖特基-莫特规则，通过将两个组分在单一平面内横向连接形成的石墨烯/MoS2异质结有望表现出低电阻接触。本文提供了此类结的结构、电子和磁学性质的原子尺度描述。我们首先确定了能量有利的结构，其中边界处形成C-S或C-Mo键的偏好取决于化学条件。我们发现石墨烯与MoS2之间的显著电荷转移局域在边界处。我们表明，丰富的一维边界态在石墨烯与MoS2的横向接触中大幅钉扎费米能级，这与三维材料接触中二维界面态的效应极为相似。此外，我们提出了利用这些效应实现自旋极化电流的具体方法。
引用
@article{arxiv.1704.02669,
title = {Properties of In-Plane Graphene/MoS2 Heterojunctions},
author = {Wei Chen and Yuan Yang and Zhenyu Zhang and Efthimios Kaxiras},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.02669},
year = {2017}
}