MoS₂、MoOₓ₌₂,₃(MoSO)/RGO 异质结构的电学与光学性质
强关联电子
2018-10-18 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了电沉积在 FTO 衬底上的可控大面积 MoSO/还原氧化石墨烯 (RGO) 异质结构的输运性质，及其与 MoSO/Gr 理论计算的比较。由 p 型或 n 型 MoSO 构成的异质结构的 I-V 特性在界面处表现出类似于 MoS₂/Gr 的肖特基行为。理论计算显示横向层尺寸以及层数在电子性质中具有显著影响。在单层 MoS₂/Gr 中，随着横向尺寸增大，能隙消失且费米能级向价带移动。在双层 MoS₂ 位于双层 Gr 结构上的情形中，费米能级再次向价带移动，但能隙略高于单层结构。我们发现实验获得的 n 型 MoSO/RGO 结果在定性上与 MoS₂/Gr 异质结构的理论计算一致。这些结果有助于理解和设计基于高质量、低成本的 MoSO/RGO 的电子、光电子和储能器件或助催化剂。
引用
@article{arxiv.1808.03534,
title = {Electrical and optical properties of MoS$_{2}$,MoO$_{x=2,3}$(MoSO)/RGO heterostructure},
author = {S. Erfanifam and L. Jamilpanah and P. Sangpour and M. Hamdi and F. Haddadi and M. Erfanifam and G. Chanda and T. Herrmannsdörfer and V. Sazgari and A. Sadeghi and M. Mohseni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.03534},
year = {2018}
}