单层和少层MoS2垂直器件中肖特基势垒的应变工程
介观与纳米尺度物理
2017-01-25 v1 材料科学
摘要
我们研究了垂直金属-原子级薄层MoS2-金属结构中的局域应变对电子输运性质的影响。我们使用导电原子力显微镜探针向沉积在导电氧化铟锡(ITO)衬底上的单层和少层MoS2晶体施加不同的载荷力，同时测量垂直探针/MoS2/ITO结构的I-V特性。这些结构表现出整流I-V特性，其整流比强烈依赖于所施加的载荷。为了理解这些结果，我们将实验I-V曲线与双肖特基势垒模型进行比较，该模型与我们的实验结果吻合良好，并使我们能够提取有关探针/MoS2/ITO结构的电子性质及其对施加载荷依赖性的定量信息。最后，我们将这些研究的结构用作机械可调电流整流器来测试其稳定性。
引用
@article{arxiv.1701.07000,
title = {Strain engineering of Schottky barriers in single- and few-layer MoS2 vertical devices},
author = {Jorge Quereda and Juan José Palacios and Nicolás Agräit and Andres Castellanos-Gomez and Gabino Rubio-Bollinger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.07000},
year = {2017}
}
备注
Main text: 14 pages, 4 figures. Supp. Info.: 11 pages, 5 figures. We include a Matlab script to numerically solve the back-to-back diode circuit