MoS$_2$与坡莫合金之间可控的肖特基势垒
材料科学
2015-08-18 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
MoS是一种具有强自旋轨道耦合和长自旋寿命的层状二维材料，在电子学和自旋电子学应用中前景广阔。然而，由于其大带隙和小电子亲和势，MoS与接触金属之间存在显著的肖特基势垒，阻碍了对 MoS中自旋输运和自旋注入的进一步研究。尽管在提高器件性能方面已取得实质性进展，但金属 - 半导体肖特基势垒的存在尚未被完全理解。在此，我们研究了坡莫合金（Py）接触多层和单层 MoS的情况。在多层 MoS与 Py 电极之间形成了具有负肖特基势垒的欧姆接触，其在低温下产生了超过 55 cmVs的高场效应迁移率。此外，通过施加背栅电压并在金属与单层 MoS之间插入不同厚度的 AlO层，我们实现了肖特基势垒高度的良好可调性（低至零）。这些结果对于提高 MoS晶体管器件的性能至关重要，并可能为实现 MoS中的自旋输运和自旋注入铺平道路。
引用
@article{arxiv.1407.7652,
title = {Controllable Schottky Barriers between MoS2 and Permalloy},
author = {Weiyi Wang and Yanwen Liu and Lei Tang and Yibo Jin and Tongtong Zhao and Faxian Xiu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.7652},
year = {2015}
}