通过插入BN单层调控MoS2|金属接触处的肖特基势垒
材料科学
2015-05-08 v1
摘要
在不产生肖特基势垒的情况下与二维半导体 MoS2 形成金属接触是一项挑战。利用密度泛函计算，我们表明，尽管对于高功函数（ eV）金属，电子的肖特基势垒遵循肖特基-莫特规则，但由于金属-MoS2 相互作用，对于低功函数金属，费米能级被钉扎在 MoS2 导带边下方 0.1-0.3 eV 处。在金属与 MoS2 之间插入氮化硼（BN）单层会破坏该相互作用，并恢复 MoS2 的电子结构。此外，BN 层使 Co 和 Ni 的金属功函数降低了 eV，并使费米能级与 MoS2 导带对齐。吸附单层 BN 的表面修饰是实现肖特基势垒高度消失的实用方法。
引用
@article{arxiv.1501.02130,
title = {Controlling the Schottky barrier at MoS2|metal contacts by inserting a BN monolayer},
author = {Mojtaba Farmanbar and Geert Brocks},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.02130},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures