六方氮化硼/金属界面处的肖特基势垒：第一性原理研究
介观与纳米尺度物理
2014-08-15 v2 材料科学
摘要
本文利用密度泛函理论研究了金属与六方氮化硼 (h-BN) 界面处肖特基势垒的形成。对于功函数范围在 4.2 到 6.0 eV 之间的金属，我们发现空穴的肖特基势垒高度介于 1.2 到 2.3 eV 之间。在决定肖特基势垒高度方面起核心作用的是一个在金属|h-BN 界面形成的、介于 0.4 到 1.8 eV 之间的电势阶跃，该阶跃有效地降低了金属功函数。如果 h-BN 是物理吸附的（如在 fcc Cu、Al、Au、Ag 和 Pt(111) 衬底上的情况），则界面电势阶跃可以由一个仅取决于 h-BN 与金属表面距离的普适函数很好地描述。当 h-BN 为化学吸附时（如 hcp Co 和 Ti (0001) 以及 fcc Ni 和 Pd (111) 衬底的情况），界面电势阶跃最大。
引用
@article{arxiv.1401.6440,
title = {Schottky barriers at hexagonal boron nitride/metal interfaces: a first principles study},
author = {Menno Bokdam and Geert Brocks and Mikhail I. Katsnelson and Paul J. Kelly},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.6440},
year = {2014}
}