将肖特基势垒高度的空间分辨图谱与金属/半导体界面成分相关联
介观与纳米尺度物理
2014-11-04 v1
摘要
利用弹道电子发射显微镜 (BEEM)，在 1 微米×1 微米的区域内每隔 11.7 nm 采集并拟合谱图，以纳米级分辨率绘制了纯 Au/Si(001) 和混合 Au/Ag/Si(001) 界面的肖特基势垒高度 (SBH) 图谱。混合界面的 SBH 能量分布包含多个局部最大值，表明界面处存在金属种类的混合。为了估算界面成分，将分布拟合为多个高斯函数，以考虑物种、“夹断”效应和缺陷。将此静电成分与卢瑟福背散射谱 (RBS) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 测量结果进行比较，以将其与界面的物理成分联系起来。
引用
@article{arxiv.1411.0014,
title = {Relating Spatially Resolved Maps of the Schottky Barrier Height to Metal/Semiconductor Interface Composition},
author = {Robert Balsano and Chris Durcan and Akitomo Matsubayashi and Vincent P. LaBella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.0014},
year = {2014}
}