石墨烯/Si (GaAs) 肖特基结处的势垒高度不均匀性
材料科学
2015-05-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
石墨烯与半导体界面形成具有整流特性的肖特基结，然而经常观察到肖特基势垒高度的波动。在本工作中，通过将化学气相沉积单层石墨烯转移到 n 型 Si 和 GaAs 衬底上制备肖特基结。通过 215 至 350 K 之间的电流 - 电压测量获得了势垒高度和理想因子的温度依赖性。对于两种结，随着温度升高，观察到零偏压势垒高度增加，理想因子减小。这种行为归因于扫描隧道显微镜/光谱揭示的由界面态引起的势垒不均匀性。假设势垒高度呈高斯分布，发现石墨烯-Si 和石墨烯-GaAs 结的平均值分别为 1.14(+/-)0.14 eV 和 0.76(+/-)0.10 eV。这些发现为基于石墨烯的肖特基结中的势垒高度不均匀性提供了见解，这对于石墨烯与 Si 和 GaAs 器件架构的集成至关重要。
引用
@article{arxiv.1503.03766,
title = {Inhomogeneity in barrier height at graphene/Si (GaAs) Schottky junctions},
author = {D. Tomer and S. Rajput and L. J. Hudy and C. H. Li and L. Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.03766},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 6 figures