具有肖特基势垒的 Mo/n-Si 结构中电荷输运的特征
材料科学
2013-02-26 v1
摘要
在 130-330 K 温度范围内，对 Mo/n-Si 肖特基势垒结构的正向和反向电流-电压特性进行了实验研究。发现肖特基势垒高度随温度升高而增加，理想因子随温度升高而减小。在非均匀接触模型的框架内对所得结果进行了分析。确定了肖特基势垒高度的均值和标准差：在 T=130-220 K 时分别为 0.872 V 和 0.099 V，在 T=230-330 K 时分别为 0.656 V 和 0.036 V。结果表明，在反向偏压下，电流流动的主要过程是非均匀势垒上的热电子发射和隧穿。
引用
@article{arxiv.1302.5780,
title = {Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Shottky barrier},
author = {Oleg Olikh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5780},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 9 figures