石墨烯/n-Si 二极管的温度依赖输运特性

在 Si 上实现最优的石墨烯肖特基界面具有挑战性，因为电输运强烈依赖于石墨烯的质量与制备工艺。这类界面因在所有环境中具有热稳定性和化学稳定性，正日益受到研究关注，区别于传统的金属/半导体界面。我们在常温条件下制备此类 n 型 Si 界面，发现其电特性具有高度整流性，反向漏电流极小（$<10^{-10}$ A），整流比超过 $10^6$。我们提取出剥离石墨烯在室温下的肖特基势垒高度为 $0.69\ \text{eV}$，CVD 生长石墨烯器件为 $0.83\ \text{eV}$。温度依赖的电特性表明石墨烯/n-Si 界面存在不均匀性。我们利用 Werner 和 G\"{u}ttler 提出的势涨落模型，对肖特基势垒高度的非均匀性进行了定量分析。