理想石墨烯/硅肖特基结二极管
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v1
摘要
对半导体器件的正确理解始于金属 - 半导体界面。金属/半导体界面本身也可能成为一种重要器件，因为当半导体掺杂浓度较低时，往往会形成肖特基结。在此，我们通过使用原子级薄的半金属石墨烯，扩展了对金属 - 硅肖特基结的分析。我们表明，需要一种根本性的新输运模型来描述石墨烯 - 硅肖特基结。虽然其电流 - 电压行为遵循著名的理想二极管行为，但二极管特性的细节最好由 Landauer 输运形式体系来表征，这表明来自石墨烯的注入率最终决定了这种新型肖特基结的输运性质。
关键词
引用
@article{arxiv.1405.3954,
title = {Ideal Graphene/Silicon Schottky Junction Diodes},
author = {Dhiraj Sinha and Ji Ung Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.3954},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 4 figures