基于二维材料的近红外肖特基硅光电探测器
应用物理
2021-05-04 v1 光学
摘要
自 2004 年发现以来，石墨烯因其高载流子迁移率、柔性、强光-物质相互作用和宽带吸收等优异性质引起了科学界的兴趣。尽管其光吸收弱且为零带隙，石墨烯作为光电子器件的有源材料已展现出令人印象深刻的成果。这一成功推动了新型二维（2D）材料的研究，以用于下一代光电子器件，特别是光电探测器。事实上，大多数二维材料可转移到包括硅在内的多种衬底上，为开发用于红外探测的肖特基结开辟了道路。尽管基于金属的肖特基近红外硅光电探测器在文献中并非新概念，但使用二维材料替代金属相对较新，并正带来在红外波段具有前所未有性能的硅基光电探测器。本章旨在首先阐明这些器件的物理效应和工作原理，然后描述文献中报道的主要结构，最后讨论近年来取得的最显著结果。
引用
@article{arxiv.2105.00838,
title = {Near-infrared Schottky silicon photodetectors based on two dimensional materials},
author = {Teresa Crisci and Luigi Moretti and Mariano Gioffre' and Maurizio Casalino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.00838},
year = {2021}
}