石墨烯-绝缘体上硅（GSOI）肖特基二极管光电探测器
应用物理
2020-01-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
石墨烯-硅（GS）肖特基结已被证明是一种高效的光电探测结构。然而，此类器件在自由空间光探测中的响应速度迄今在波长 500nm 时仅限于数十至数百 kHz。在此，我们展示了制备在绝缘体上硅衬底（SOI）上的石墨烯-硅肖特基结光电探测器，其响应速度接近 1GHz，这归因于将光活性硅层厚度减至 10m，从而抑制了限制速度的扩散电流。石墨烯-绝缘体上硅光电探测器（GSOI-PDs）表现出波长对响应速度的影响可忽略不计，且与制备在体硅上的 GS 结相比，响应度仅有适度折损。在环境条件下，GSOI 光电探测器的噪声等效功率（NEP）和比探测率（D）分别为 14.5pW 和 7.83 cm HzW。我们进一步证明，将 GSOI-PDs 与通过修改表面形貌形成的微光学元件相结合，可实现对光谱和角度响应的调控。
引用
@article{arxiv.1807.00225,
title = {Graphene-Silicon-On-Insulator (GSOI) Schottky Diode Photodetectors},
author = {H. Selvi and E. W. Hill and P. Parkinson and T. J. Echtermeyer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.00225},
year = {2020}
}