基于单个单晶 GeSe 纳米片的近红外肖特基光电探测器
介观与纳米尺度物理
2018-06-13 v1
摘要
我们利用气相输运和沉积技术合成了高质量、微米级尺寸的单晶 GeSe 纳米片。在全局激光照射方案下，研究了基于机械剥离的 GeSe 纳米片结合 Au 接触的光响应。I-V 曲线的非线性、不对称和未饱和特性表明形成了两个不均匀的背对背肖特基接触。第一性原理计算表明，缺陷诱导的带内缺陷态的出现导致了关态电流的缓慢衰减以及光电流对弱光强的依赖性。该肖特基光电探测器在 808 nm 波长的近红外 (NIR) 光照射下表现出显著的光响应。显著的光响应和良好的响应度表明其作为光电探测器的潜在应用。
引用
@article{arxiv.1310.0436,
title = {NIR Schottky Photodetectors Based on Individual Single-Crystalline GeSe Nanosheet},
author = {Bablu Mukherjee and Yongqing Cai and Hui Ru Tan and Yuan Ping Feng and Eng Soon Tok and Chorng Haur Sow},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.0436},
year = {2018}
}