自催化纯相 P 型 GaAs 纳米线的高响应度光电探测
介观与纳米尺度物理
2018-04-23 v1 应用物理
摘要
缺陷对光电器件有害,例如层错可形成载流子输运势垒,而具有深能级的外来杂质(Au)可形成载流子陷阱与非辐射复合中心。在此,我们首先开发了具有纯闪锌矿(ZB)结构的自催化 p 型 GaAs 纳米线(NWs),并随后用这些纳米线制备了光电探测器。由于无层错且大量深能级缺陷被抑制,该光电探测器在 632.8 nm 波长低强度光信号下展现出室温高 photo 响应度 1.45 x 10^5 A W^-1 与高达 1.48 x 10^14 Jones 的优异比探测率(D*),优于先前报道的基于纳米线的光电探测器。这些结果表明,此类自催化纯 ZB GaAs 纳米线是光电子应用的有前途候选者。
引用
@article{arxiv.1804.07421,
title = {High-Responsivity Photodetection by Self-Catalyzed Phase-Pure P-GaAs Nanowire},
author = {Hassan Ali and Yunyan Zhang and Jing Tang and Kai Peng and Sibai Sun and Yue Sun and Feilong Song and Attia Falak and Shiyao Wu and Chenjiang Qian and Meng Wang and Zhanchun Zuo and Kui-Juan Jin and Ana M. Sanchez and Huiyun Liu and Xiulai Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.07421},
year = {2018}
}
备注
22 pages,6 figures