具有强载流子限制的无缺陷轴向堆叠GaAs/GaAsP纳米线量子点
应用物理
2021-02-26 v2 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
纳米线（NW）中的轴向堆叠量子点（QD）在制备纳米级量子器件和激光器方面具有重要应用。尽管其性能对晶体质量和结构非常敏感，但关于无缺陷生长（采用无金模式）以及为实现高性能的结构优化研究相对较少。在此，我们报道了首个自催化无缺陷轴向堆叠深纳米线量子点的详细研究。当50个GaAs量子点置于单根GaAsP纳米线中时，保持了高结构质量。该量子点具有非常尖锐的界面（1.8~3.6 nm），并且可以以非常相似的结构特性紧密堆叠。它们在非氮化物III-V纳米线量子点中展现出最深的载流子限制（~90 meV）和最大的激子-双激子分裂（~11 meV），并且由于优异的稳定性，在环境大气中存放超过6个月后仍能保持良好的光学性质。我们的研究为构建与CMOS技术兼容的高性能轴向堆叠纳米线量子点器件奠定了坚实基础。
引用
@article{arxiv.2002.07071,
title = {Defect-Free Axially-Stacked GaAs/GaAsP Nanowire Quantum Dots with Strong Carrier Confinement},
author = {Yunyan Zhang and Anton V. Velichko and H. Aruni Fonseka and Patrick Parkinson and George Davis and James A. Gott and Martin Aagesen and Ana M. Sanchez and David Mowbray and Huiyun Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.07071},
year = {2021}
}
备注
38 pages, 9 figures, 1 table