从 CVD 石墨烯电化学制备保留堆叠构型的石墨烯量子点
介观与纳米尺度物理
2024-03-19 v1
摘要
纳米碳中的层堆叠形貌对于实现新特性和卓越应用至关重要。在这里，我们证明了石墨烯量子点（GQDs）保留了在 Ni 泡沫上生长的 CVD 石墨烯的结晶度和堆叠结构。我们的结果表明，GQD 子域包含 AB -- AB 和 ABC -- ABC 堆叠构型中的少层石墨烯结构。HR-TEM 图像连同多种方法表征（XRD、XPS、UV-vis、AFM 和 ATR-IR）显示出 3.0 至 8.0 nm 的结晶 GQDs，厚度为 2-6 层石墨烯，表明呈盘状结构。UV-vis 曲线显示了在电化学过程期间和之后分散体颜色的变化（从无色到红色），表明石墨烯被系统性地电氧化为更小、高结晶度且更复杂的 sp2/sp3 结构。重要的是，在相同条件下但使用石墨棒进行的对照实验表现出大型、多分散且多层碳结构。这项工作展示了一种相对简便的电化学合成方法，用于获得保留 Ni 泡沫上生长的石墨烯原始且独特结构的 GQDs。
引用
@article{arxiv.2403.11922,
title = {Stacking-Configuration-Preserved Graphene Quantum Dots Electrochemically Obtained from CVD Graphene},
author = {Santiago D. Barrionuevo and Federico Fioravanti and Jorge M. Nuñez and David Muñeton Arboleda and Gabriela I. Lacconi and Martin G. Bellino and Myriam H. Aguirre and Francisco J. Ibañez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.11922},
year = {2024}
}
备注
33 pages