GaN 量子线中的晶相量子点
介观与纳米尺度物理
2016-03-16 v2
摘要
我们通过连续波和时间分辨光致发光光谱，研究了超薄 GaN 纳米线集合中束缚于 I1 基面层错上的激子的性质。这些超薄纳米线由自发形成的 GaN 纳米线集合热分解得到，呈锥形且尖端直径小至 6 nm。随着纳米线直径减小，我们观察到源自层错束缚激子辐射衰变的跃迁发生强烈的蓝移。此外，该跃迁在超薄纳米线中的辐射寿命在高达 60 K 时与温度无关，且明显长于原生纳米线中相应跃迁的辐射寿命。这些发现揭示了受限激子态的零维特征，从而证明超薄纳米线中的 I1 层错充当了真正的量子点。
引用
@article{arxiv.1601.01162,
title = {Crystal-phase quantum dots in GaN quantum wires},
author = {P. Corfdir and C. Hauswald and O. Marquardt and T. Flissikowski and J. K. Zettler and S. Fernández-Garrido and L. Geelhaar and H. T. Grahn and O. Brandt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01162},
year = {2016}
}