GaN 中与堆垛层错相关的发光
材料科学
2016-02-23 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
基面堆垛层错是纤锌矿半导体中一类重要的光活性结构缺陷。纤锌矿基体从 2H 堆垛局部偏离为 3C 闪锌矿堆垛，会在主体晶体的带隙中诱导产生束缚态，从而导致激子局域化。由于这些平面缺陷的二维特性，堆垛层错充当量子阱，引起具有特征能量的激子辐射跃迁。因此，发光光谱能够检测到原本完美的纤锌矿晶体中的单个堆垛层错。本综述全面描绘了 GaN 中与堆垛层错相关的发光特性。讨论了与不同类型堆垛层错相关的发射能量以及可能移动这些能量的因素。在此背景下，强调了由纤锌矿 GaN 自发极化引起的量子限制斯塔克效应在这些闪锌矿/纤锌矿异质结构中的重要性。这一讨论扩展到了纤锌矿基体中的闪锌矿片段。此外，还探讨了影响堆垛层错相关峰的发射能量和线宽的其他因素，以及室温下获得的结果。本文中提出的考量也应可推广至其他纤锌矿半导体。
引用
@article{arxiv.1405.1261,
title = {Luminescence associated with stacking faults in GaN},
author = {Jonas Lähnemann and Uwe Jahn and Oliver Brandt and Timur Flissikowski and Pinar Dogan and Holger T. Grahn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.1261},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 14 figures