重新思考纤锌矿半导体中的极化
材料科学
2024-07-25 v1 应用物理
摘要
源于非中心对称纤锌矿晶格的极化，支撑着氮化镓（GaN）——产量仅次于硅的第二大半导体材料——的物理性质与功能。然而，最近的直接实验测量揭示了出乎意料的大幅值且与传统预期方向相反的剩余极化。这一显著差异不仅对我们现有的理论范式构成了严峻挑战，也凸显了进行批判性反思和方法论完善的必要性，以便将这些新观测与已有知识相结合，从而减轻这一快速发展领域中潜在的误解和谬见。
引用
@article{arxiv.2403.17317,
title = {Rethinking Polarization in Wurtzite Semiconductors},
author = {Ding Wang and Danhao Wang and Samuel Yang and Zetian Mi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.17317},
year = {2024}
}