晶格匹配 GaN/ScN 界面处的巨大极化电荷密度
材料科学
2019-12-23 v2
摘要
岩盐结构 ScN 是一种与纤锌矿 GaN 晶格失配很小的半导体。在现代极化理论中，ScN 沿 [111] 方向具有非零的形式极化。因此，我们证明 (0001) GaN 与 (111) ScN 之间的界面呈现出 1.358 的巨大极化不连续性。(000) GaN 界面上将出现高密度电子气，或在 (0001) GaN 界面上出现空穴气，载流子浓度高达 cm。巨大的极化差与微小的应变使 ScN 成为 III-氮化物材料体系中用于极化增强隧穿结的理想选择。巨大的面载流子密度也可能有助于接触层或电流扩展层。
引用
@article{arxiv.1910.00142,
title = {Giant polarization charge density at lattice-matched GaN/ScN interfaces},
author = {Nicholas L. Adamski and Cyrus E. Dreyer and Chris G. Van de Walle},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.00142},
year = {2019}
}
备注
This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing. This article appeared in Applied Physics Letters {\bf 115}, 232103 (2019) and may be found at https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5126717