GaN在复杂硅基结构上的特性比较
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
为探讨光电子器件的可能集成性，我们在Si(111) SOI和Si/CoSi2/Si(111)上采用金有机化学气相沉积生长了 epitaxial GaN薄膜。样品具有高度取向的六方纤维结构、均匀的厚度和突变的界面。 epitaxial取向为GaN(0001)//Si(111)、GaN[1120]//Si[110]和GaN[1010]//Si[112]，GaN层在界面法向上受张应力。根据Rutherford背scatter/通道化学和(0002)摆动曲线，Si(111) SOI上的GaN晶体质量优于硅化物。室温光致发光GaN/SOI显示出在368 nm(3.37 eV)处强烈的近带边发射，FWHM为59 meV。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510222,
title = {Comparison of the properties of GaN grown on complex Si-based structures},
author = {Shengqiang Zhou and A. Vantomme and B. S. Zhang and H. Yang and M. F. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510222},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 4 figures