GeSi量子点上Si过生长过程中的非均匀低温外延崩溃
材料科学
2015-05-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
研究了非均匀应变Si覆盖层的低温外延崩溃。通过在共格应变的GeSi量子点表面上生长Si薄膜，我们区分了表面粗糙度、应变和生长取向对外延崩溃机制的影响。利用原子力显微镜和高分辨横截面透射电子显微镜，我们发现虽然高达2%的局部晶格应变影响可忽略不计，但在如{113}等高指数晶面上的生长会显著降低局部崩溃厚度。在所有晶面取向上方均观察到纳米级生长小丘的形成。由于扩散长度直接依赖于表面取向，我们将外延厚度的变化归因于特定生长晶面的低温稳定性以及动力学限制的生长小丘的平均尺寸。
引用
@article{arxiv.1105.2074,
title = {Inhomogeneous low temperature epitaxial breakdown during Si overgrowth of GeSi quantum dots},
author = {Christopher W. Petz and Jerrold A. Floro},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2074},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 6 figures, submitted to the Journal of Applied Physics