具有低温量子点的覆盖型 Ge/Si 异质结构中中间层的形成：基于高分辨透射电子显微镜与拉曼光谱的研究
材料科学
2020-04-14 v3
摘要
采用峰对算法对高分辨透射电镜图像进行软件分析并结合拉曼光谱的方法，研究了具有低温 Ge 量子点的 Ge/Si(001) 结构中的晶格形变。研究发现，应力并未在量子点上方的厚 Si 层中扩散，而是通过形成混合组成的薄边界层完全弛豫。然而，在 Ge 覆盖度为 10 Å 的样品中，Ge 层下方不存在 Ge 与 Si 的互混。此外，在 Ge 覆盖度为 6 Å 或更少的样品中，Ge 层下方与上方均未观察到互混现象。这可能是由于在 Ge/Si 结构低温沉积时，Ge 向 Si 基体的扩散主要来自 Ge hut 的 {105} 晶面，而非 Ge 润湿层。发生强烈应力诱导扩散的 Si 覆盖临界厚度被确定处于 5 至 8 nm 范围内。
引用
@article{arxiv.1907.07169,
title = {The formation of intermediate layers in covered Ge/Si heterostructures with low-temperature quantum dots: a study using high-resolution transmission electron microscopy and Raman spectroscopy},
author = {Mikhail S. Storozhevykh and Larisa V. Arapkina and Sergey M. Novikov and Valentyn S. Volkov and Oleg V. Uvarov and Vladimir A. Yuryev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.07169},
year = {2020}
}
备注
18 pages, 9 figures; accepted to Semicond. Sci. Technol. (2020)