(Si)GeSn 材料中的热激活扩散与晶格弛豫
材料科学
2020-03-25 v1
摘要
锗锡（GeSn）合金因其直接带隙及与现有硅基电子学的兼容性，已成为未来光电子、能量收集与纳米电子学的一种有前景的材料。然而，其亚稳性带来了重大挑战，需要对热行为进行深入探究。基于此视角，本工作研究了赝晶 GeSn 二元与 SiGeSn 三元合金在热退火过程中的互扩散过程。在两类体系中，初始赝晶层仅通过热诱导的 Sn 扩散传质而弛豫。系统的生长后退火实验揭示了在低于 600{\deg}C 温度下显现的增强的 Sn 与 Si 扩散机制。放大的低温扩散以及二元与三元间仅观测到的细微差异，暗示 Si-Ge-Sn 材料体系独特的亚稳性才是相分离最重要的驱动力。
引用
@article{arxiv.1911.02334,
title = {Thermally activated diffusion and lattice relaxation in (Si)GeSn materials},
author = {Nils von den Driesch and Stephan Wirths and Rene Troitsch and Gregor Mussler and Uwe Breuer and Oussama Moutanabbir and Detlev Grützmacher and Dan Buca},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.02334},
year = {2020}
}
备注
15 pages, 3 figures