IV族半导体材料体系中的互扩散：应用、研究方法与发现
材料科学
2019-08-02 v2
摘要
SiGe、GeSn、Ge/Si和SiGe:C等IV族半导体合金与异质结构已广泛用于并在微电子与光电子主要器件应用中被深入研究。在这些材料的生长与加工中，会发生纳米尺度互扩散，通常不利于器件性能。随着Ge摩尔分数升高和压缩应变增大，Si-Ge互扩散可比掺杂剂扩散快得多。然而，Si-Ge互扩散行为直至近年才被较好理解。关于GeSn的研究则少得多。本综述从主要IV族半导体的基本性质与应用入手，随后回顾迄今在Si-Ge与Ge-Sn互扩散行为方面的进展。理论、实验方法、设计及实际考量与该领域关键发现一并讨论。
引用
@article{arxiv.1901.10105,
title = {Interdiffusion in Group IV Semiconductor Material Systems: Applications, Research Methods and Discoveries},
author = {Guangrui and Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.10105},
year = {2019}
}