用于中红外光子学应用的键合在 Si 平台上的高应变 Ge 微块
材料科学
2017-05-22 v1
摘要
对 Ge 施加足够的拉伸应变可使其转变为在中红外波长范围发光的直接带隙 IV 族半导体。然而,由于晶格失配较大,高应变 Ge 无法直接在 Si 上生长。在本工作中,我们开发了一种基于 Ge 微桥应变重新分布的工艺,有意将其着陆至 Si 衬底上。随后可部分刻蚀牵引臂,仅保留局部应变 Ge 微块。我们展示了键合在 Si 上的高达 4.2% 应变的大范围可调单轴应力。我们的方法使得在 Si 平台上集成应变 Ge 用于中红外集成光学成为可能。
引用
@article{arxiv.1705.06832,
title = {Highly strained Ge micro-blocks bonded on Si platform for Mid-Infrared photonic applications},
author = {Alban Gassenq and Kevin Guilloy and Nicolas Pauc and Denis Rouchon and Julie Widiez and Johan Rothman and Jean-Michel Hartmann and Alexei Chelnokov and Vincent Reboud and Vincent Calvo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.06832},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 4 figures