硅上的锗晶体展现发光特性
材料科学
2014-06-09 v1
摘要
锗和硅锗合金凭借其与硅工艺的兼容性以及通过应变和能带工程调控电子特性的能力，已成功进入硅技术领域。锗扩展硅功能的潜力（如 strained-Ge on Si 衬底上的激光作用所示）使该材料重新受到关注。然而，尽管取得了这些进展，由 Ge/Si 界面处的晶体缺陷引起的非辐射跃迁仍然是一个严重的瓶颈。在此，我们展示了通过控制和减轻微米级 Ge/Si 晶体中缺陷的寄生活动所实现的剧烈发射增强。我们揭示了缺陷如何影响带间发光，并通过利用能带工程反射器控制载流子扩散来最小化其影响。最后，我们扩展了这一方法，设计了高效的量子阱发射器。我们的结果为大规模实施不受外延界面处普遍存在的缺陷影响的高级电子和光子结构铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1306.5270,
title = {Germanium crystals on silicon show their light},
author = {F. Pezzoli and F. Isa and G. Isella and C. V. Falub and T. Kreiliger and M. Salvalaglio and R. Bergamaschini and E. Grilli and M. Guzzi and H. von Kaenel and Leo Miglio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.5270},
year = {2014}
}