与高Q光学腔耦合的应变Ge纳米线的直接带隙发光
光学
2016-05-04 v1
摘要
硅兼容光源是完成高速、低功耗片上光互连的最后缺失部分。在本文中，我们提出了一种基于锗的发光器，它包含了潜在低阈值激光器的所有方面：高度应变的锗增益介质、应变诱导的伪异质结构以及高Q光学腔。我们的发光结构呈现出显著增强的向腔模的光致发光，测量品质因数高达 2,000。发射波长通过单次光刻步骤调谐超过 400 nm。我们发现形成于大于2.3%拉伸应变下的锗光学腔中的光学增益增加。通过增益/损耗机制的定量分析，我们发现来自空穴带的自由载流子吸收主导了增益，导致即使从高度应变、n型掺杂的锗也没有净增益。
引用
@article{arxiv.1508.01255,
title = {Direct Bandgap Light Emission from Strained Ge Nanowires Coupled with High-Q Optical Cavities},
author = {Jan Petykiewicz and Donguk Nam and David S. Sukhdeo and Shashank Gupta and Sonia Buckley and Alexander Y. Piggott and Jelena Vučković and Krishna C. Saraswat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.01255},
year = {2016}
}
备注
J.P. and D.N. contributed equally to this work