应变锗膜的电致发光及其对高效硅兼容激光器的启示
光学
2015-06-04 v1 材料科学
摘要
我们展示了在高度应变的锗（Ge）膜上制备的发光二极管（LED）的室温电致发光（EL）。采用外部应力技术，在垂直PN结的有源区引入了0.76%的双轴拉伸应变。电学测量显示，与体材料相比，膜LED的开关比提高了一个数量级。来自0.76%应变Ge LED的EL光谱显示，由于应变诱导的直接带隙减小，中心波长发生了100nm的红移。最后，利用紧束缚和FDTD模拟，我们讨论了对高效Ge激光器的启示。
引用
@article{arxiv.1202.3530,
title = {Electroluminescence from Strained Ge membranes and Implications for an Efficient Si-Compatible Laser},
author = {Donguk Nam and David Sukhdeo and Szu-Lin Cheng and Arunanshu Roy and Kevin Chih-Yao Huang and Mark Brongersma and Yoshio Nishi and Krishna Saraswat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.3530},
year = {2015}
}
备注
4 Pages, 5 figures