基于进动电子衍射的锗微盘应变分析
应用物理
2020-01-08 v1
摘要
近来发展的扫描透射电子显微镜（STEM）中的进动电子衍射（PED）技术已被用于阐明在Si衬底上生长的CMOS制备应变Ge微盘结构中的局部应变分布与晶向偏差。由于在特定欠刻蚀下应变诱导直接带隙行为，此类结构被视为未来光子学的紧凑光源。本研究中，对应变图进行解释并与所研究结构中应变的有限元模型（FEM）进行比较。结果表明，Ge盘上方用作应力层的SiN引起了最大近2%的面内应变 ，这也由FEM模拟证实。该拉伸应变可减小直接带隙与间接带隙之差，从而导致直接带隙辐射跃迁，具有在应变Ge激光器中的应用潜力。
引用
@article{arxiv.1906.02484,
title = {Strain analysis of Ge micro disk using precession electron diffraction},
author = {Aneeqa Bashir and Ross. W. Millar and Kevin Gallacher and Douglas. J. Paul and Amith. D. Darbal and Robert Stroud and Andrea Ballabio and Jacopo Frigerio and Giovanni Isella and Ian MacLaren},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.02484},
year = {2020}
}