采用 CMOS 兼容工艺制备具有光刻可调应变的 Ge 微盘
光学
2016-01-20 v1
摘要
我们展示了采用 CMOS 兼容制备工艺，在大的双轴拉应变下的锗微盘光学谐振器。通过应力集中技术实现了约 0.7% 的双轴拉应变，该技术允许通过仔细选择特定的光刻尺寸来定制应变水平。通过沉积压应力氮化硅层，补偿了图案化锗微盘边缘处的部分应变弛豫。二维拉曼光谱测量以及有限元方法模拟证实了最终微盘结构内相对均匀的应变分布。光致发光结果显示了由回音壁模式引起的清晰光学共振，这与时域有限差分光学模拟吻合良好。我们的带隙可定制微盘为实现片上光互连的高效锗光源提供了一条新途径。
引用
@article{arxiv.1510.07236,
title = {Ge Microdisk with Lithographically-Tunable Strain using CMOS-Compatible Process},
author = {David S. Sukhdeo and Jan Petykiewicz and Shashank Gupta and Daeik Kim and Sungdae Woo and Youngmin Kim and Jelena Vuckovic and Krishna C. Saraswat and Donguk Nam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.07236},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 5 figures