高应变 Ge 微桥中的精确应变测量
材料科学
2016-07-19 v1
摘要
预测高应变下的 Ge 会成为直接带隙半导体。利用微桥器件可引入非常大的形变。然而，在微观尺度上，应变值通常根据拉曼光谱学使用经验线性模型推导，而这些模型仅针对单轴应力建立到 1.2%。在本工作中，我们利用基于同步辐射的微衍射校准了更高应变下的拉曼-应变关系。Ge 微桥显示出前所未有的高拉伸应变，高达 4.9%，对应于出乎意料的 9.9 cm-1 拉曼位移。我们通过实验和理论证明拉曼应变关系并非线性，并给出了更精确的表达式。
引用
@article{arxiv.1604.04391,
title = {Accurate strain measurements in highly strained Ge microbridges},
author = {A. Gassenq and S. Tardif and K. Guilloy and G. Osvaldo Dias and N. Pauc and I. Duchemin and D. Rouchon and J-M. Hartmann and J. Widiez and J. Escalante and Y-M. Niquet and R. Geiger and T. Zabel and H. Sigg and J. Faist and A. Chelnokov and F. Rieutord and V. Reboud and V. Calvo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.04391},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 4 figures