单个Ge-SixGe1-x核壳纳米线的拉曼光谱与应变映射
介观与纳米尺度物理
2012-08-03 v1
摘要
核壳结构Ge-SixGe1-x纳米线由于核/壳界面处的晶格失配，预期会包含大的应变场。本文报道了利用拉曼光谱测量纳米线异质结构中核应变的方法。我们比较了单个Ge-Si0.5Ge0.5核壳纳米线和裸Ge纳米线的拉曼光谱以及Ge-Ge模的频率。我们发现，在Ge纳米线中，Ge-Ge模频率与直径无关，其值与体Ge相似，为300.5 cm-1。另一方面，Ge-Si0.5Ge0.5核壳纳米线显示出应变诱导的Ge-Ge模蓝移，该蓝移依赖于核和壳的相对厚度。利用晶格动力学理论，我们确定了Ge核中的应变，并表明结果与使用连续弹性模型计算的值吻合良好。
引用
@article{arxiv.1207.0781,
title = {Raman spectroscopy and strain mapping in individual Ge-SixGe1-x core-shell nanowires},
author = {D. C. Dillen and K. M. Varahramyan and C. M. Corbet and E. Tutuc},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.0781},
year = {2012}
}
备注
9 pages, 5 figures