应变Si/Ge核壳纳米线的电子性质
计算物理
2015-05-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了沿[110]方向的应变Si/Ge核壳纳米线的电子性质。所研究的核壳纳米线直径高达5 nm。我们发现，核壳纳米线的带隙小于相同直径的纯Si和纯Ge纳米线的带隙。这种减小的带隙归因于Ge和Si层之间的本征应变，该应变部分抵消了量子限域效应。进一步对纳米线施加外部应变以调控能带结构和带隙。通过施加足够的张应变，我们发现直径大于约3 nm的Si核/Ge壳纳米线的带隙经历了从直接带隙到间接带隙的转变。
引用
@article{arxiv.1010.1555,
title = {Electronic Properties of Strained Si/Ge Core-Shell Nanowires},
author = {Xihong Peng and Paul Logan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1555},
year = {2015}
}
备注
4 figures