氢化硅纳米片和纳米管的能带结构
介观与纳米尺度物理
2011-07-04 v2 材料科学
摘要
利用经验紧束缚模型阐明了完全氢化硅纳米片和纳米管的能带结构。氢化硅片是一种间接带隙约为2.2 eV的半导体。波函数的对称性使我们能够解释带隙的起源。我们预测，对于某些手性，氢化硅纳米管代表一种新型半导体，其直接带隙和间接带隙共存且大小完全相同。这种行为不同于为非氢化碳和硅纳米管建立的Hamada规则。并与从头算计算结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.1101.4212,
title = {Band structure of hydrogenated Si nanosheets and nanotubes},
author = {G. G. Guzmán-Verri and L. C. Lew Yan Voon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.4212},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 4 figures, to appear in J. Phys.: Condens. Matter