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硅基纳米结构的电子结构

介观与纳米尺度物理 2011-07-04 v1 材料科学

摘要

我们发展了一个统一的紧束缚哈密顿量,能够描述最近提出的硅基纳米结构——即硅类石墨烯片和硅纳米管——的电子性质。我们分别考虑了包含第一近邻和第二近邻的sp3ssp^3s^*模型和sp3sp^3模型。结果表明,本文所考虑的硅类石墨烯片为金属或零带隙半导体,而相应的硅纳米管遵循所谓的Hamada规则[Phys. Rev. Lett. {\bf 68}, 1579 (1992)]。文中还与最近的{\it ab initio}计算进行了比较。

关键词

引用

@article{arxiv.1107.0075,
  title  = {Electronic structure of silicon-based nanostructures},
  author = {G. G. Guzmán-Verri and L. C. Lew Yan Voon},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1107.0075},
  year   = {2011}
}

备注

12 pages, 6 Figures