SP3 型硅纳米管的结构稳定性与电子性质
介观与纳米尺度物理
2012-12-05 v1 材料科学
摘要
本文呈现了一项基于密度泛函理论的研究，探讨了不同生长取向的窄 SP3 硅纳米管的结构、电子性质及相对稳定性。研究发现，所有被研究的纳米管及其对应的线状结构均处于亚稳态，其中线状结构在能量上更为稳定。硅纳米管的带隙较对应的线状结构有显著增加，增幅高达 68%。此外，研究发现系统的带隙与钝化氢含量的摩尔分数之间存在直接关系。这些结果表明，通过仔细控制其晶体学生长取向、尺寸和化学成分，应该可以设计并制备出具有所需电子性质的硅纳米管。
引用
@article{arxiv.1206.1063,
title = {Structural stability and electronic properties of SP3 type silicon nanotubes},
author = {Alon Hever and Jonathan Bernstein and Oded Hod},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.1063},
year = {2012}
}
备注
13 pages, 7 figures