氟化对 sp3 型硅纳米管结构稳定性与电子性质的影响
材料科学
2013-08-07 v1
摘要
本文采用密度泛函理论研究了沿不同晶体取向构建的氟化 sp3 硅纳米管及其对应硅纳米线的结构、电子性质及相对稳定性。研究发现，结构稳定性随氟表面覆盖度线性增加，当覆盖度超过 25% 时，预测管状结构比线状对应物更稳定。对于硅摩尔分数相对较低的体系，完全氟化体系的带隙比完全氢化体系的带隙低多达 0.79 eV；随着硅摩尔分数的增加，这些差异似乎减小。对于混合氟化和氢化的表面修饰方案，其带隙通常介于完全氢化和完全氟化体系的数值之间。此外，发现硅纳米管的带隙值比硅纳米线对氟表面覆盖度更为敏感。这些结果表明，表面功能化可用于控制窄准一维硅纳米结构的稳定性，并为化学调控其电子性质开辟了途径。
引用
@article{arxiv.1305.1807,
title = {Fluorination Effects on the Structural Stability and Electronic Properties of sp3 Type Silicon Nanotubes},
author = {Alon Hever and Jonathan Bernstein and Oded Hod},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.1807},
year = {2013}
}
备注
17 pages, 6 figures