平面聚硅烷和石墨烯的化学功能化
材料科学
2009-09-24 v1
摘要
二维材料对于电子学应用至关重要。在二维系统上进行电子结构工程的一种自然方法是面内化学功能化。基于密度泛函理论，我们研究了氟取代的平面聚硅烷和石墨烯的电子结构。我们发现碳和硅表现出截然不同的表面化学性质。平面聚硅烷的间接能隙在氟修饰后变为直接能隙，且能隙宽度主要由氟覆盖度决定，与其在表面的分布无关。然而，氟掺杂石墨烯的电子结构对掺杂构型非常敏感，这是由于反键态和近自由电子态之间的竞争。通过特定的氟分布模式，可以获得零维和一维的近自由电子态。我们还研究了-OH或-NH基团的化学修饰。碳似乎太小，无法在其石墨烯骨架上以高浓度容纳大的官能团。
引用
@article{arxiv.0904.4540,
title = {Chemical functionalization on planar polysilane and graphane},
author = {Ning Lu and Zhenyu Li and Jinlong Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.4540},
year = {2009}
}
备注
10 figures