通过硅化调控多层磷烯的电子性质
材料科学
2018-02-14 v2
摘要
控制二维（2d）材料电子性质的厚度依赖性是其大规模应用的主要目标之一。在此，我们采用第一性原理计算方法，预测Si与多层磷烯（2d-P）的相互作用可导致形成具有弱层间相互作用的高度稳定的2d-SiP和2d-SiP化合物。我们的分析表明，这些体系是带隙能量可通过改变厚度和堆叠顺序来调控的半导体。具体而言，磷烯的硅化允许设计电子性质厚度依赖性显著弱于2d-P的2d-SiP材料，并开发调控它们的方法。我们还揭示了2d-SiP电子性质的空间依赖性，突出了不同层有效带隙的差异。特别地，我们的结果表明，多层二维体系中的中心层决定了整体电子性质，而最外层的作用明显较小。
引用
@article{arxiv.1710.07923,
title = {Tailoring electronic properties of multilayer phosphorene by siliconization},
author = {Oleksandr I. Malyi and Kostiantyn V. Sopiha and Ihor Radchenko and Ping Wu and Clas Persson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.07923},
year = {2018}
}