氧化硅硫化物：一种新型二维材料的稳定性与电子性质
材料科学
2019-04-23 v1
摘要
通过第一性原理密度泛函计算，研究了四种稳定二维(2D) SiS结构的孤立氧杂质与完全氧化结构。由于Si原子电负性较低，四种二维SiS结构的氧杂质结合能均大于黑磷烯。确定了不同二维SiS结构中最稳定的孤立氧杂质构型，并预测了相应的饱和氧化二维结构(SiSO)。在四种完全氧化结构中，通过声子谱计算和分子动力学(MD)模拟证明α-SiSO是稳定的。电子结构计算表明，α-SiSO单层为直接带隙约2.28 eV的半导体，其带隙可通过层内应变有效调控。研究发现带隙值与热力学稳定性对氧的饱和程度高度敏感。
引用
@article{arxiv.1904.09614,
title = {Oxidized silicon sulfide: stability and electronic properties of a novel two-dimensional material},
author = {Zhengnan Li and Shuai Dong and Jie Guan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.09614},
year = {2019}
}