具有面内负泊松比的新型二维二氧化硅
材料科学
2018-01-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二氧化硅或硅石通常以多种块体晶体和非晶形式存在，最近被发现具有二维结构。本工作中，我们利用第一性原理计算和进化算法揭示了三种新的二维二氧化硅结构，并将其热稳定性、动力学稳定性和力学稳定性与许多典型块体二氧化硅进行比较。特别地，我们发现这三种二维二氧化硅均具有较大的面内负泊松比，其中最大者约为五石墨烯的两倍、硼烯的三倍。负泊松比源于晶格对称性与Si-O四面体对称性的相互作用。层状二氧化硅也是一种绝缘二维材料，其电子带隙（> 7 eV）在已报道的二维结构中最大。这些具有面内负泊松比和最宽带隙的奇异二维二氧化硅有望在纳米力学和纳米电子学中具有巨大的潜在应用价值。
引用
@article{arxiv.1801.08567,
title = {Novel Two-Dimensional Silicon Dioxide with in-plane Negative Poisson's Ratio},
author = {Zhibin Gao and Xiao Dong and Nianbei Li and Jie Ren},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.08567},
year = {2018}
}
备注
19 pages, 4 figures, published as Nano Lett., 17, 772 (2017). See also: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.6b03921