揭示一种类硅烯新材料：Pentahexoctite-硅及其光电特性的 DFT 研究

包括著名硅烯在内的硅基二维（2D）材料因其在先进电子与光电子应用中的潜力而备受关注。本文受 pentahexoctite 碳独特结构特征的启发，提出一种新型二维硅变体——pentahexoctite 硅（PH-Si）。我们利用最先进的密度泛函理论（DFT）计算与从头算分子动力学（AIMD）模拟，研究了 PH-Si 的基本光电特性。结果表明，PH-Si 具有各向异性电导及特定方向上金属性行为的优良电子性质。我们还通过声子计算与 AIMD 模拟检验了其结构与动力学稳定性。PH-Si 的形成能低至 -3.62 eV，也证实了其结构稳定性。该材料在可见（Vis）与紫外（UV）光谱区表现出显著的光吸收，使其成为潜在的 Vis-UV 探测器与吸收体。此外，我们评估了其关键力学属性，包括弹性刚度常数、杨氏模量（5 至 40 GPa 范围）以及 0.8 的泊松比，共同为其力学表现提供了有价值的见解。