基于第一性原理的SiTe_x(x=1,2)的光学与电子性质
材料科学
2021-06-30 v1
摘要
本文研究了{\alpha}-SiTe、{\beta}-SiTe与RX-SiTe_2的光学与电子性质。采用标准密度泛函理论(DFT)与杂化泛函(HSE06)方法对电子性质进行了详细分析。在三种不同方法下研究了光学介电性质：标准DFT、多体格林函数(GW)与Bethe-Salpeter方程(BSE)。我们的计算表明，块体形式的SiTe化合物具有极高的静态介电常数（{\alpha}-SiTe的{\epsilon}_0({\bot}) = 68.58、{\epsilon}_0({\parallel}) = 127.29，{\beta}-SiTe的{\epsilon}_0({\bot}) = 76.23、{\epsilon}_0({\parallel}) = 98.15）。频率依赖介电函数Im({\epsilon})在光学区间具有非常大（>100）的值，居于层状材料最高之列，表明它们在相应频率下是优异的光吸收体。与其他两种化合物相比，{\alpha}-SiTe表现出高度的光学各向异性，与其结构构型一致。在块体RX-SiTe_2中观察到强烈的层间激子效应。此外，还进行了拉曼强度分析。
引用
@article{arxiv.2104.08909,
title = {Optical and Electronic Properties of SiTe_x(x=1,2) from First-Principles},
author = {Romakanta Bhattarai and Xiao Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.08909},
year = {2021}
}