聚酰亚胺柔性衬底上氢化非晶硅传感器的表征
仪器与探测器
2023-10-03 v1 高能物理 - 实验
摘要
氢化非晶硅（a-Si:H）是一种具有本征高辐射硬度的材料，可沉积于聚酰亚胺等柔性衬底上。基于这些特性，a-Si:H 可用于制造柔性传感器。a-Si:H 传感器可成功应用于剂量测定、粒子物理束流监测（X 射线、电子、γ 射线与质子探测）与放射治疗、空间应用的辐射通量测量（太阳高能粒子与恒星事件研究）以及中子通量测量。本文中，我们研究了沉积于聚酰亚胺上的 n-i-p 二极管的剂量学 X 射线响应。我们测量了光电流对 X 射线的响应随剂量率的线性度，并从中提取了不同偏压下的剂量学 X 射线灵敏度。特别研究了低偏压工作以评估此类传感器的高能效。给出了 X 射线响应随时间的稳定性测量。研究了探测器退火效应。还展示了不同弯曲半径下的弯曲工作状态。
引用
@article{arxiv.2310.00495,
title = {Characterization of hydrogenated amorphous silicon sensors on polyimide flexible substrate},
author = {M. Menichelli and L. Antognini and S. Aziz and A. Bashiri and M. Bizzarri and L. Calcagnile and M. Caprai and D. Caputo and A. P. Caricato and R. Catalano and D. Chilà and G. A. P. Cirrone and T. Croci and G. Cuttone and G. De Cesare and S. Dunand and M. Fabi and L. Frontini and C. Grimani and M. Ionica and K. Kanxheri and M. Large and V. Liberali and N. Lovecchio and M. Martino and G. Maruccio and G. Mazza and A. G. Monteduro and A. Morozzi and F. Moscatelli and A. Nascetti and S. Pallotta and A. Papi and D. Passeri and M. Pedio and M. Petasecca and G. Petringa and F. Peverini and L. Piccolo and P. Placidi and G. Quarta and S. Rizzato and G. Rossi and F. Sabbatini and L. Servoli and A. Stabile and C. Talamonti and J. E. Thomet and L. Tosti and M. Villani and R. J. Wheadon and N. Wyrsch and N. Zema},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.00495},
year = {2023}
}