用于低本底探测器的新型高放射性纯度掺杂非晶硅电阻
仪器与探测器
2026-04-27 v2 高能物理 - 实验
核实验
摘要
我们展示了一项关于轻掺杂非晶硅作为高放射性纯度电阻介质用于核与粒子物理研究仪器的研究结果。为nEXO无中微子双贝塔衰变搜索实验的时间投影室设计制造了原型，这些原型满足超高放射性纯度、良好的机械、低温和高压性能以及有用的真空紫外（VUV）反射率的要求。有必要进行进一步研究以改进生产方法，并确认此处使用的技术是否适用于更广泛的应用。
引用
@article{arxiv.2601.05985,
title = {Novel High-Radiopurity Doped Amorphous Silicon Resistors for Low-Background Detectors},
author = {A. Anker and P. C. Rowson and K. Skarpaas and S. Tsitrin and I. J. Arnquist and L. Kenneth S. Horkley and L. Pagani and T. D. Schlieder and E. van Bruggen and P. Kachru and A. Pocar and N. Yazbek},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.05985},
year = {2026}
}
备注
24 pages, 9 figures, 10 tables